三星电子预计明年 HBM 占 DRAM 晶圆产能近 30%

三星电子执行副总裁 Kim Taewoo 预计，明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他指出，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入将占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。三星已于今年 2 月开始量产 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品，预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 180000 片增至明年约 250000 片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%.