伯恩斯坦解读：内存还在涨，但手机和PC已经扛不住

TL;DR
· 伯恩斯坦 6 月追踪显示，2QCY26 常规 DRAM 样本合约价环比涨约 74%，NAND 约涨 60%。
· TrendForce 公开口径预计 3Q26 一般型 DRAM 涨 13%-18%，NAND Flash 涨 10%-15%。
· 三星、SK 海力士、美光仍受益，但 LTA 上限、手机减产和 NAND 竞争会压住涨幅兑现。

伯恩斯坦最新 6 月内存追踪把内存涨价推到一个很高的位置。其样本加权显示，2QCY26 常规 DRAM 合约价较一季度上涨约 74%，NAND 整体合约价约上涨 60%。

这组数字对投资者的意义很直接：内存涨价会抬高三星电子、SK 海力士、美光、SanDisk 等厂商的收入和利润预期，也会增加 PC、手机、服务器厂商采购成本。过去几个月，AI 服务器和云厂商需求把内存价格推上去，但普通消费电子已经开始出现反作用，手机厂商减产、降配置，PC 和消费端也更难消化持续涨价。

需要区分的是，伯恩斯坦 6 月追踪属于报告样本口径，并非 TrendForce 公开发布的官方最终值。TrendForce 3 月公开预测曾给出 2Q26 一般型 DRAM 合约价季增 58%-63%、NAND Flash 季增 70%-75%。到 7 月 3 日，TrendForce 公开口径预计 3Q26 一般型 DRAM 合约价季增 13%-18%，NAND Flash 合约价季增 10%-15%。

也就是说，内存价格仍在涨，服务器短缺也没有结束，但最陡的一段涨价可能已经过去。

DRAM 二季度样本涨 74%，服务器 DDR5 还是最硬需求

DRAM 价格仍然强，支撑来自服务器。

伯恩斯坦 6 月追踪显示，现货价格延续 5 月反弹。PC DRAM DDR4、DDR5 芯片环比上涨 5.6%-11.5%，服务器 DRAM 模块环比上涨 6.1%-26.4%，其中 DDR5 表现尤其强。更重要的是，现货价仍明显高于合约价，买方如果不通过长期协议锁货，在现货市场拿货的成本仍然更高。

二季度常规 DRAM 合约价的分项涨幅显示，涨价并不只发生在单一品类。PC DRAM 环比上涨约 49%，服务器 DRAM 上涨约 67%，移动 DRAM 约 80%，消费 DRAM 约 85%。其中服务器端的意义最大，因为它和 AI 数据中心、云厂商资本开支直接相关，也更能支撑内存厂商的利润预期。

DRAM 现货与合约价汇总；2QCY26 常规 DRAM 样本加权平均 QoQ+73.9%，服务器 DDR5 模块现货环比+26.4%。

美国云服务商仍在优先拿供给。报告提到，SK 海力士和美光在 4 月已基本谈妥相关长期协议，三星仍在推动更高价格。美光的长期协议价格上限接近其二季度水平，三星和 SK 海力士的上限可能更高。中国云厂商的谈判仍延续到三季度，条款相对不那么有利。

这也是合约价涨幅会放缓、但短期不等于掉头下跌的原因。服务器需求还在消化新增供给，尤其是 DDR5 和高端服务器模块，仍然是整个 DRAM 市场最强的部分。

服务器 DDR5 RDIMM 现货与合约价对比；现货价远高于合约价，6 月合约价环比+9.1%，DDR5 较 DDR4 溢价扩大至 22%。

NAND 也在涨，但晶圆端已经弱下来

NAND 表面上也处在大涨周期中，但结构比 DRAM 更复杂。

伯恩斯坦样本显示，6 月 NAND 晶圆现货价环比下跌 3%-4%，晶圆合约价仅环比微升 0.3%-3.7%。单看晶圆，价格已经明显弱于前期。但移动 NAND 和 SSD 合约价预计大涨 70%-80%，拉动二季度整体 NAND 合约价仍约上涨 60%。

NAND 不是所有环节都在同样涨。晶圆端已经露出疲态，终端产品和企业级需求仍在支撑整体均价。

这也解释了为什么三季度 NAND 涨幅难以维持二季度水平。二季度的高涨幅更多来自移动 NAND 和 SSD 价格上调，一旦手机厂商减少采购、降低容量配置，NAND 价格压力会比服务器 DRAM 更快显现。

NAND 晶圆及 eMMC/UFS 合约价走势；TLC 晶圆合约价 6 月 MoM+3.7%、QLC MoM+0.3%，但移动 NAND 和 SSD 推动 2Q 整体 QoQ 约+60%。

对 SanDisk、铠侠等 NAND 相关公司来说，这种分化尤其重要。短期价格仍然向上，但如果晶圆先走弱，后续利润弹性就更依赖企业级 SSD、移动端合约执行和库存消化速度。

三季度还会涨，只是速度慢了

三季度不是涨价结束，而是涨价速度降下来。

TrendForce 7 月 3 日公开口径预计，3QCY26 一般型 DRAM 合约价季增 13%-18%，NAND Flash 合约价季增 10%-15%。相比二季度，涨幅已经明显收敛。

压力来自两端。

一边是 AI 服务器仍在拿货，美国云服务商也获得优先供给，短期继续支撑价格。另一边是消费电子已经开始调整。手机 OEM 开始下调生产计划和内存用量，低中端机型受到的影响更大，因为它们更依赖 LPDDR4 等成熟产品，也更难把成本上涨转嫁给消费者。

TrendForce 此前公开预计，2026 年全球智能手机产量将同比下降 10% 至约 11.35 亿部，悲观情境下跌幅可能扩大至 15% 以上。当手机产量下滑和内存降规同时发生，移动 DRAM 和移动 NAND 的涨价空间就会被压住。

PC 端也有类似压力。6 月 PC DDR4、DDR5 芯片现货仍在上涨，但如果终端需求无法承受更高成本，采购节奏可能放缓，渠道也会更谨慎补库存。

PC DDR5 芯片现货与合约价走势；2025 年底至 2026 年 6 月现货从低位快速反弹，3-4 月短暂回调后再次上行。

另一个约束来自长期协议。LTA 可以帮助内存厂商锁定订单、降低价格回落时的冲击，但也可能限制进一步涨价。尤其当部分协议设置价格上限后，现货价格再高，也不一定能完全反映到厂商当季平均销售价格里。

所以，二季度合同价样本涨幅不能简单等同于每家公司实际 ASP 涨幅。产品组合、HBM 占比、LTA 执行价格上限、季度末最终结算，都会影响三星、SK 海力士、美光等公司的最终收入确认。

厂商仍受益，手机和 LTA 会压住兑现幅度

内存厂商仍是最直接受益方。

据 Investing.com 6 月报道，伯恩斯坦将三星电子目标价上调至 44 万韩元、SK 海力士上调至 330 万韩元、美光上调至 1,300 美元，并维持「跑赢大盘」评级。SanDisk 目标价也被上调至 3,000 美元，维持「跑赢大盘」评级，理由与新的内存长期协议和价格下限有关。铠侠维持「跑输大盘」评级。

评级本身不是这篇文章的重点。更重要的是，在当前价格环境下，市场仍愿意给头部 DRAM 和部分 NAND 厂商更高盈利预期。

但短期涨价不能直接推导成长期无风险上行。

消费端需求破坏已经出现。手机厂商降产量、降规格，低中端机型更敏感。内存价格上涨越快，终端厂商越可能通过减少容量、改用旧世代产品或推迟采购来应对。

供应也会继续爬坡。伯恩斯坦模型假设中，内存价格将在 2H CY27 逐步见顶，并在 CY28 正常化。当前短缺更多是 AI 服务器需求强、供给调整滞后、长期协议锁货共同作用的结果，不是供需矛盾永久存在。

中国厂商在 NAND 领域的竞争仍是长期压力。相比 DRAM，NAND 更容易受到新增产能和价格竞争影响。一旦需求放缓叠加供给增加，价格回落可能先从 NAND 较弱的环节开始。

这轮内存行情的短期主线仍然清楚：服务器和 AI 需求让 DRAM 价格维持高位，NAND 二季度也被移动端和 SSD 价格拉上去。但从三季度开始，手机、PC 和消费端承压会让涨价速度明显下降。对投资者来说，「价格还在涨」和「最强涨价阶段已经过去」，已经是两件需要分开看的事.