三星电子考虑将气兴NRD-K 2线转为代工生产线

三星电子正在考虑将气兴NRD-K 2线转为代工生产线。目标产品是英伟达的2纳米HBM基础芯片。该生产线计划于2028年下半年投入运营，并可能采用“Send-Fab”模式。NRD-K是三星电子在气兴校园内建设的下一代半导体研发园区，总投资规模约为20万亿韩元。这次审查旨在根据AI半导体的代工需求，重新配置部分研发设施。HBM基础芯片是将DRAM垂直堆叠，与外部处理器进行数据交换的逻辑芯片，HBM4之后，代工工艺的作用日益重要。三星电子计划在定制HBM和HBM5中应用2纳米工艺。在下一代HBM竞争中，基础芯片工艺和封装技术的比重正在增加。NRD-K 2线的转型仍处于中长期审查阶段，最终用途可能会根据市场情况而有所变化。DRAM生产能力将集中在平泽校园。

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